闪存卡是干嘛用的啊
1、闪存卡是利用闪存技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。 2、根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SM卡，CF卡，MMC卡，SD卡，记忆棒，XD卡和微硬盘。这些闪存卡虽然外观，规格不同，但是技术原理都是相同的。 3、由于闪存卡的诸多优点及闪存卡的应用领域，闪存卡已渐渐取代了传统的存储介质，成为未来存储界的主力军。
闪存的工作原理
【闪存的概念】 闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。 闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。 【技术及特点】 NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。 前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。 闪存存取比较快速，无噪音，散热小。你买的话其实可以不考虑那么多，同样存储空间买闪存。如果硬盘空间大就买硬盘，也可以满足你应用的需求。 【闪存的分类】 ·目前市场上常见的存储按种类可分： U盘 CF卡 SM卡 SD/MMC卡 记忆棒 ·国内市场常见的品牌有： 金士顿、索尼、晟碟、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者，纽曼，威刚，联想。 【NAND型闪存】内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。 NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。 每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit，还是512字节。 寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
磁盘、光盘、闪存的存储原理分别是什么
磁盘是靠磁头在磁盘上写入磁性数据 光盘是靠激光在光盘表面烧录存储 闪存是靠电子擦写存储数据U盘：U盘，全称“USB闪存盘”，英文名“USB flash disk”。它是一个USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品，可以通过USB接口与电脑连接，实现即插即用。U盘的称呼最早来源于朗科公司生产的一种新型存储设备，名曰“优盘”，使用USB接口进行连接。USB接口就连到电脑的主机后，U盘的资料可与电脑交换。而之后生产的类似技术的设备由于朗科已进行专利注册，而不能再称之为“优盘”，而改称谐音的“U盘”。后来U盘这个称呼因其简单易记而广为人知，而直到现在这两者也已经通用，并对它们不再作区分，是移动存储设备之一。闪盘：与U盘同义。闪存：闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。缓存：缓存是指临时文件交换区，电脑把最常用的文件从存储器里提出来临时放在缓存里，就像把工具和材料搬上工作台一样，这样会比用时现去仓库取更方便。因为缓存往往使用的是RAM（断电即掉的非永久储存），所以在忙完后还是会把文件送到硬盘等存储器里永久存储。电脑里最大的缓存就是内存条了，最快的是CPU上镶的L1和L2缓存，显卡的显存是给GPU用的缓存，硬盘上也有16M或者32M的缓存。千万不能把缓存理解成一个东西，它是一种处理方式的统称。磁盘格式化时被划分出磁道和扇区并被编好磁道和扇区号，文件就是按就是按着磁道号、扇区号、面、柱面的编号存放的，就象图书管的书籍被分类编码存放一样。磁盘文件查找时就是按磁道号、扇区号、柱面号等查找的。磁盘：磁碟表面覆盖一层硬磁性材料，依靠磁头使其按磁道充磁、消磁，代表1和0；光盘：工厂压制光盘是光碟表面形成凹坑，再镀膜，代表0和1；烧录：用激光使光碟基底色素发生变化，反光能力不同，代表0和1；闪存：利用cmos（绝缘栅场效应电路）极高电阻，使电量长期保存，然后通过对电位的检测读出数据。
什么叫闪存卡
什么叫闪存卡闪存卡是利用闪存技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia、CompactFlash、MultiMediaCard、SecureDigital、MemoryStick、XD-PictureCard和微硬盘这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。闪存卡属于内存还是外存是外存。目前内存用的存储器基本都是断电后信息立刻丢失的存储器，包括DDR2和DDR3以及老的DDR存储器都是这样。这也就是为什么你正在打字，电脑断电后你所有的字都白打了。而闪存的信息不会因断电而消失，也称为非易失性存储器，所以，你U盘中的信息可以长久保存而不需要让它一天到晚插着电。科研人员非常想把类似闪存那样的非易失性存储器用到电脑的内存里去，这样的话，计算机就会变得更加容易操作，比如：可以随时关机，瞬间开机，就像一台电视机一样。但是，目前所有的非易失性存储器，相对于当前常用的内存来说，速度非常慢，所以，目前还没有出现将闪存当内存的计算机，不过，倒是有将闪存做成硬盘的，那个就是固态盘。闪存卡和u盘区别闪存卡和U盘的区别外型上：u盘是呈U型方块的一个闪存盘；闪存卡体积比u盘小，存储时需要放在读卡器或者手机上。使用上：u盘即插即用，闪存卡则麻烦点。速度上：u盘直接连，速度快；闪存卡需接线或者读卡器，稍慢。携带上：u盘体积比闪存卡大很多，丢了容易察觉。U盘或闪存卡无法拷贝大文件的原因是，通常U盘和闪存卡都是用的是FAT32文件系统格式，而FAT32的文件系统格式是不能支持单个大于4GB的文件的拷贝的，因此即使空间剩余充足也会提示存储空间不足无法拷贝的信息，一般情况下U盘和存储卡都是能支持格式化成exFAT和NTFS的文件系统格式的，这两种文件系统格式都是可以支持单个大于4GB的文件的拷贝的。提醒：部分情况下，XP系统可能无法正常读取exFAT文件系统的U盘，而闪存卡多为手机和相机使用，而手机的安卓系统可能无法正常支持NTFS或者exFAT格式的存储卡，因此为了避免数据丢失，请详细了解后再做文件系统的格式转换。格式转换：格式化的时候选择NTFS或者exFAT就能支持单个4GB以上的文件拷贝了，格式化之前请备份数据。NTFS和exFAT支持的功能均比FAT32多，但兼容性不如FAT32的好。相关的功能支持请点击右侧的微博进行讨论，此文仅供参考，不做任何适应性保证及学术理论论证。手机存储卡是闪存吗内存卡是内存卡，闪存卡是闪存卡。一般来讲，闪存卡的读取速度比内存卡和U盘快。不过，两者都是一样的功能，一样用的，都是用来储存数据用的，所以，没必要理解那么深。内存卡其实是闪存卡。内存卡属于外存是外部存储，系统内存指的是存储系统app和文件的，这部分存储必须root后才可以自己存储文件，内部存储就是你可以随意下载app，存储各种资料的部分，内存卡是扩展的外部存储。
关于U盘和闪存卡存储原理的，请求大虾指教
就是闪存盘，通常通过USB口与电脑连接暂时储存文件或用来传输文件，人们常常把它称为“U盘”。 便携存储(USB Flash Disk)，也称为闪存盘。是采用USB接口和闪存(Flash Memory)技术结合的方便携带外观精美时尚的移动存储器。闪存盘是以Flash Memory为介质，所以具有可多次擦写、速度快而且防磁、防震、防潮的优点。闪存盘一般包括闪存(Flash Memory)、控制芯片和外壳。闪盘采用流行的USB接口，体积只有大拇指大小，重量约20克，不用驱动器，无需外接电源，即插即用，实现在不同电脑之间进行文件交流，存储容量从16MB～2GB不等，满足不同的需求。闪盘产品都是通过整合闪存芯片、USB I/O控制芯片而成的产品闪存卡是利用闪存技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧.其实就是U盘级别：圣人2007年3月23日 一般来说手机本身都有一定的内存容量，但是由于工艺的原因手机机身上设置过多的内存空间会增加很多的成本。所以现在的许多手机都设置了可以通过插内存卡来扩展我们的手机内存！ 手机内存卡可以用来存储歌曲，电影，电子书，游戏软件等数据信息。现在市面上常见的内存卡分为主要有TF、MMC、SD、MiniSD、Memory Stick等。
内存卡用的什么原理
存储卡是一种固态产品，也就是工作时没有运动部件。存储卡采用闪存（flash）技术，是一种稳定的存储解决方案，不需要电池来维持其中存储的数据。对所保存的数据来说，存储卡比传统的磁盘驱动器安全性和保护性都更高；比传统的磁盘驱动器及Ⅲ型PC卡的可靠性高5到10倍，而且存储卡的用电量仅为小型磁盘驱动器的5%左右。存储卡工作时一般采用逻辑寻址方式，它没有磁头和磁道的转换操作，因此在访问连续扇区时，操作速度比磁盘的物理寻址方式速度快。
TF卡等闪存的读写数据原理存了数据的地方有什么内在物理化学变化
闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。 与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。
手机内存卡存储原理
手机内存卡存储原理是运用闪存技术。是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。
闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。
擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。
到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。
而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
扩展资料：
手机存储卡的辨别：
一是要注意包装和做工。假冒存储卡的包装和做工比较粗糙，和正品存储卡放在一起对比明显。
二是要注意防伪标识。知名品牌的存储卡包装上一般会印有带有认证电话和识别码的防伪标识，你可以拨打认证电话进行正品验证。
三是要看价格。假冒存储卡的价格一般要比正品便宜一半以上，网友们可以先看看相关行情信息，以防购买到假冒存储卡。
什么是闪存它的基本工作原理是什么
由于闪存颗粒中存储密度存在差异，所以闪存又分为SLC、MLC、TLC和QLC。简单的说，NAND闪存的基本原理，QLC容量大，但性能也变差了。
SLC：每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强，P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低而成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。
MLC：每个cell单元存储2bit信息，需要更复杂的电压控制，有00,01,10,11四种变化，这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。
TLC：每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。寿命短只是相对而言的，通常来讲，经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。
QLC或者可以叫4bit MLC，电压有16种变化，但是容量能增加33%，就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上，美光有做过实验。读取速度方面，SATA接口中的二者都可以达到540MB/S，QLC表现差在写入速度上。
因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长，速度更慢，连续写入速度从520MB/s降至360MB/s，随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS，损失将近一半。
分类
按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡。
按品牌分
矽统（SIS）、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士。
以上内容参考：百度百科-闪存
